陈乾旺

陈乾旺教授（博士生导师）：男，1965年12月生，理学博士。美国刊物Appl. Phys. Lett. 和J. Am. Chem. Soc. 审稿人。1995年获中国科学技术大学理学博士学位；1996 - 1997年任日本国立Kochi大学水热化学研究所博士后研究员；1997 - 1999年获洪堡奖学金在德国太阳能研究所从事博士后研究；1999 - 2000年任香港理工大学应用物理系访问研究员；2000年入选中国科学院“百人计划”；2001年获国家杰出青年基金。 研究方向： 新型化合物的设计; 无机固体材料和特殊反应条件下的无机合成化学；无机固体化合物的反应机理、 缺陷和物性。 近期主要开展半导体纳米管阵列材料的合成、固载及其功能化应用；胶体颗粒自组织生长光子晶体；硅基纳米材料结构与物性；仿生合成与生物技术在合成化学中的应用;新型富勒烯衍生物合成及其功能特性。 已取得学术成绩： 在纳米材料的制备科学、多孔硅的发光特性以及与其它学科的交差研究领域中均取得较多的成果。发表学术论文60余篇（第一作者33篇），如：美国刊物J. Am. Chem. Soc.，Physical Review Letters 等；论文被Science等SCI检索期刊引用118次；撰写英文专著一章；获国家发明专利一项。 近期代表作： 1. Reduction of carbon dioxide by magnetite: Implications for the primordial synthesis of organic molecules. J. Am. Chem. Soc. 122(2000)970. 2. Improvement mechanism of photoluminescence in iron-passivated porous silicon. Chemical Physics Letters 343(2001)507. 3. Carbon dioxide thermal system: an effective method for the reduction of carbon dioxide., Chem. Commun. 2001, 1402-1403. 4. Strong and stable ultraviolet luminescence in porous silicon in-situ passivated by manganese. Applied Physics Letters 77(2000)854. 5. Nondegrading photoluminescence in porous silicon. Physical Review Letter 81(1998)1710. 实验室电话：0551-3607292