名师简介
任丙彦简历 一、个人简介： 1970年毕业于北方交通大学电信系无线通讯专业。一直从事半导体材料的研究与开发工作，相继晋升讲师、副教授、教授职称并担任半导体研究所副所长、硕导。作为负责人领导并创建了河北省半导体压阻力敏传感器生产基地和世界上最大的中日合资、香港合资太阳能硅单晶生产基地并任技术顾问，与中科院半导体所、上海交通大学、北京太阳能研究所均有硕士课题实验交流，与国外有一定程度业务和技术交流。 二、研究方向： 半导体光电子技术研究，半导体光电子材料及光电子器件，硅光电源研究大直径低氧碳硅单晶的晶体生长工艺及硅片加工工艺研究大直径硅单晶的微缺陷研究，有限元在CZSi生长上的应用。 三、承担的科研项目及获奖情况 承担国家及省市科研项目20余项，获国家四等发明奖一项，省科技进步一等奖二项、二等奖一项、三等奖四项，获河北省优秀产学研奖一项。 目前承担的科研项目： 1、国家自然科学基金项目： 太阳能硅单晶快速生长中结晶潜热释放速率与母相熔体结构关系的研究 2、河北省自然科学基金项目 高效非晶硅/多晶硅异质结太阳电池工艺与界面匹配机理研究 四、论文及著作 在国内外重要学术期刊《中国科学》《半导体学报》《太阳能学报》《化学学报》《Rare Metals》《Semiconductor Technology》等共计发表学术论文50余篇，《硅外延生长技术》译著一部。 “直拉硅缺陷控制与利用”1995年国家发明四等奖 “中子嬗变掺杂直拉硅片生产线” 1996年河北省经贸委优秀产学研奖 “NTDCZ硅中子辐照施主的形成机理与结构” 1997年河北省科技进步三等奖 “直拉硅中子辐照技术与内吸除技术的结合在压阻力敏传感器中的应用” 1999年河北省科技进步二等奖 “中子辐照直拉硅退火后的施主行为” 核技术，1997 “氩气流场分布与CZSi单晶中氧含量关系的研究” 中国学术期刊，2000，vol.6,No.8,1028639 “大直径直拉硅单晶炉热场改造及数值模拟” 人工晶体学报，2000,vol.29,No.4,381 “热场分布对大直径CZSi单晶中氧含量的影响” 材料研究学报，2001,vol.15,No,3 “F6”CZSi热系统改造对原生缺陷密度的影响” 中国科学, 2001, vol.31,No.7,639 硅单晶生长中氩气流场对氧碳含量的影响 半导体学报， 2001.11 第22卷 第3期 直径200mm太阳能CZ-Si 单晶复合式热场的数值模拟 科学技术与工程，2003. 第3卷 第1期 The effects of CZ-Si furnace modification on density of grown in defects CHINA..SCIENCE，2002． 第3期 Annealing Behavior of New Micro-defects in P-type large-diameter CZ-Si Crystal RARE METALS，2001.12 第4期 Study on Grown-in Defects In Large-Diameter CZ-Si SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY ，2001. 第13期 五、联系方式： 办公电话 022-26582204 手机 13703193485 E-mail tjrby@sohu.com