名师简介
刘彩池个人简介 办公电话：26582474 电子信箱：liucaichi@eyou.com 刘彩池：女， 1964年5月生，教授，博士后。2004年被列入教育部新世纪优秀人才支持计划，河北省新世纪三三三人才，河北省高校中青年骨干教师，河北工业大学信息功能材料研究所副所长，无机非金属材料系副主任，中国有色金属学会半导体材料学术委员会委员，中国电子学会高级会员。 研究方向：半导体缺陷工程、半导体光电子材料及应用 论文及著作： 近年来发表学术论文90余篇，其中收入三大索引30余篇，出版（合）译著1部。 1. Investigation of oxygen precipitation and intrinsic gettering in heavily Sb-doped silicon, Microelectronic Engineering, 66(2003)340 (SCI,EI) 2. Study on the oxygen concentration reduction in heavily Sb-doped silicon, J. Crystal Growth, 196(1999)111 (SCI,EI) 3. Investigation of flow pattern defects in as-grown and rapid thermal annealed CZSi wafers，J. Crystal Growth, 262(2004)1-6 (SCI,EI) 4. Evolution of flow pattern defects in boron-doped Czochralski silicon crystals during secco etching procedure，J. Crystal Growth, 269(2004)310 (SCI,EI) 5. Multivacancy clusters in neutron irradiated silicon, J. Appl. Phys. 78(1995)6458 (SCI,EI) 6. Fast neutron irradiation for Czochralski silicon，Appl. Phys. Lett., 65(22)(1994)2807-8 (SCI) 7. The Marangoni Convection and the Oxygen Concentration in Czochralski-grown Silicon， J. Crystal Growth, 254 (2003) 298 (SCI,EI) 8. Growth of semiconductor crystals under the equivalent micro-gravity, Microelectronic Engineering 66 (2003) 542 (SCI,EI) 9. Growth of Czochralski Silicon under magnetic field, Science in China Ser E, 47(3)（2004）281-292 (SCI) 10. 高温快速退火对重掺锑硅单晶中流动图形缺陷的影响, 物理学报，54（10）（2005）4863-4866（SCI） 承担科研项目及获奖情况： 一直从事半导体材料的教学与科研工作。在半导体材料晶体生长、半导体缺陷工程、光电子材料、材料质量与器件性能等方面先后主持国家自然科学基金2项，主研国家自然科学基金、国家科技部攀登计划、总装备部预研基金、教育部科学技术研究重点项目等9项，主持省部级科研项目8项，主研省部级科研项目12项，获河北省科技进步二、三等奖各1项，河北省教育厅科技进步一等奖2项，三等奖1项，获专利2项。